快科技7月16日消息，据媒体报道，长鑫科技在科创板上市网上投资者交流会上披露，公司第五代工艺技术平台及对应产品正处于研发阶段。该平台将采用进一步优化的多重曝光技术，旨在提升存储密度与阵列性能。
长鑫科技董事长朱一明介绍，公司始终坚持自主研发，并通过“跳代研发”模式加速技术创新。目前，长鑫科技已实现从第一代至第四代工艺技术平台的全线量产，技术迭代节奏稳定。
对DRAM制造商而言，工艺平台的升级直接影响芯片位密度、阵列效率及单位成本优化，是衡量制程整合能力的关键指标。
在产品布局上，长鑫科技于2019年9月推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。
截至2025年12月31日，公司已完成LPDDR4X、DDR5及LPDDR5/5X的开发与量产，产品覆盖PC、服务器和移动终端等主流应用方向，标志着公司正从早期容量突破转向完整标准体系的构建。
其中，DDR5提供更高带宽，LPDDR5/5X则在提升带宽的同时强化功耗控制，量产后有助于下游系统厂商丰富平台选择，增强本土存储供应链稳定性。
关于第五代平台，长鑫科技副总裁、董事会秘书袁园表示，研发团队正积极推进相关工艺和产品技术开发。核心方向是通过多重曝光工艺的进一步优化，在既有制造条件下改善关键结构精度，为更高集成度产品奠定基础。
根据安排，长鑫科技IPO将于今日进行网上申购。此前发布的上市发行公告显示，公司发行价为8.66元/股。按上市后总股本计算，长鑫科技估值为5791.78亿元；若中金公司全额行使超额配售选择权，市值则将达5888.76亿元。
作者：鹿角来源：快科技
原文标题 : 布局下一代存储！长鑫科技第五代工艺平台进入研发阶段
（来源：维科网）
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