长鑫存储4F2内存年底量产，产能快速扩张，SK海力士被传以赴美建厂换大连设备许可压制国产存储厂商 据快科技，长鑫科技最近公布了一系列新技术进展，先是首发LPDDR6内存，之后推出了G5代内存平台，接着

7月31日，韩国综指收涨17.91%，报6595.45点，创历史最大单日涨幅。 盘中，韩国交易所对韩国综指和创业板指启动侧车机制，程序化交易暂停5分钟。个股方面，SK海力士大涨30%，三星电子大涨近27%。 另外，日经225指数收涨4....

快科技7月28日消息，据媒体报道，昨日，长鑫科技正式登陆上交所科创板，以8.66元/股的发行价开盘即报49.50元。 截至收盘，收涨465.82%，报49.00元/股，总市值达到3.28万亿元。 目前

快科技7月24日消息，SK海力士正在推进一项面向端侧AI的新型内存技术 3D堆叠DRAM，并已开始招聘相关工程师，与美国客户联合设计芯片方案。 这项技术的核心思路，是把DRAM直接堆叠在逻辑芯片上，相

6月30日，SK海力士正式向美国证券交易委员会提交F-1招股说明书，启动纳斯达克上市程序，拟通过发行美国存托股份（ADS）募集约294亿美元，股票代码为SKHY。 从KOSPI主板到KOSPI 200

众所周知，2024年末，国家推出了补贴政策，针对大小家电、电脑等众多的产品，推出了15%-20%的补贴。 而在这样的刺激之下，众多的消费者大量购买了产品，促进消费，按照奥维云网（AVC）的数据，2024年，中国家电全品类（不含3C）零售额9071亿元，创下了历史纪录

在如今的AI时代中，智能终端的能力边界正被持续突破。这些智能终端，正从以往孤立的功能载体向网络化、协同化的服务节点转变。这一转变不仅根植于技术演进的内在逻辑，更与行业生态重构的迫切需求息息相关。 开年以来，DeepSeek的火爆，成为全球市场都在关注的焦点

?国内市场DRAM现货价格在整个11月份持续走低，尤其是DDR4受到的冲击尤为严重。相比之下，NAND闪存价格显示出稳定迹象。 业内估计，双十一期间 DRAM 模组整体销量与 2023 年同期相比下降约 20%

?随着人工智能（AI）相关半导体对高带宽存储（HBM）需求的推动，NAND闪存市场也感受到了这一趋势的影响。 目前，NAND闪存市场的竞争正在加剧，存储巨头三星和SK海力士正加紧努力，以提升NAND产品的性能和容量

存储行业触底反弹。 在过去两年里，存储芯片产业进入了调整周期，存储芯片公司们面临着库存芯片过剩，客户减少订单、价格暴跌等种种问题。2022年，DRAM（内存）价格从年头跌到了年尾，TrendForce调查显示，下半年合约价每季跌幅都超过了10%

前几天，三星发布了一季度业绩预告，一季度运营利润高达6.6万亿韩元(约354亿元人民币），同时比增长931%，这可是10倍增长啊。 为何三星利润能增长这么猛？当然是因为存储芯片大涨啊，三星作为全球第一大存储芯片厂商，一家就拿下了全球近40%的存储芯片份额

韩国两家存储芯片企业三星和SK海力士亏损严重，美国突然给它们发放无限期许可，允许它们将先进的芯片设备运到中国的工厂，借此大规模扩产，进而降价倾销压制中国芯片。 韩国存储芯片占据全球存储芯片市场绝

前言： 在英伟达一步步站稳万亿市值的道路上，少不了两项关键技术支持：台积电主导的CoWoS高端封装和头部存储厂持续迭代的HBM（高带宽存储）。  英伟达想赚钱，还得看台积电和SK海力士的脸色行事

作为一个周期性行业，半导体行业自22Q2算起，至今已经历了5个季度的下行周期。要知道，一个完整的半导体周期的持续长度为平均40个月左右。换言之，半导体行业此轮下行周期时长快要达到历史平均水平。 在绝大部分人看来，半导体周期反转几乎是一个确定性机会

8月21日消息，SK海力士宣布成功开发面向AI行业的超高性能DRAM新产品HBM3E，这是目前可用于AI应用的下一代最高规格DRAM。据悉，SK海力士计划在明年上半年开始量产HBM3E，现已提供给NVIDIA和其他客户进行性能评估