AI 服务器正经历一场供电革命：机柜功率从 120kW 一路向 1MW 冲刺。算力越猛，供电越吃紧，功率器件用量和价值量水涨船高——单台 MOSFET 从 40 颗增至 200 颗，价值量放大 5 到

德累斯顿那座 300mm 智能功率厂，是英飞凌历史上最大的一笔单项投资。 立项那年，它的客户是汽车。但这个季度，部分本来排给 IGBT 的产能，被划给了 AI 数据中心。 1999 年从西门子分出来的

芝能智芯出品 GaN功率器件已经有一块稳住的阵地：消费电子快充头。650V耐压等级够用，横向HEMT结构成熟，市场渗透率爬得很快。 功率半导体的主战场不在充电器。 电机驱动、光伏逆变器、电动汽车牵引逆

芝能智芯出品 GaN功率器件已经有一块稳住的阵地：消费电子快充头。650V耐压等级够用，横向HEMT结构成熟，市场渗透率爬得很快。 功率半导体的主战场不在充电器。 电机驱动、光伏逆变器、电动汽车牵引逆

“国产替代”浪潮席卷半导体产业腹地，功率器件作为电能转换的核心元件，其战略价值正被市场重新审视与定价。 伴随新能源汽车、光伏储能等下游需求持续爆发，叠加国家政策强力支持，资本正以前所未有的热情押注这条

“国产替代”浪潮席卷半导体产业腹地，功率器件作为电能转换的核心元件，其战略价值正被市场重新审视与定价。 伴随新能源汽车、光伏储能等下游需求持续爆发，叠加国家政策强力支持，资本正以前所未有的热情押注这条

芝能智芯出品 随着功率器件需求在不同应用场景中的快速增长，单一材料的解决方案已经无法满足电压和电流范围的全面要求。 基于此，复合材料与创新架构逐渐成为改善器件性能的关键手段，氮化镓（GaN）凭借高电子迁移率和开关速度的优势，在低功耗和部分高压应用中展现出强大的竞争力

?作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅（SiC）与硅（Si）相比，拥有更加优异的物理和化学特性，使得SiC器件能降低能耗20%以上，减少体积和重量30%~50%，可满足中低压、高压、超高压功率器件制备要求