晶科发布TAC，和另外四家的BC有啥差异？_数智科技

昨天晶科发了TAC，飞虎5别墅屋顶组件，48片，510W，组件效率25.52%。新闻稿写的是

昨天晶科发了TAC，飞虎5别墅屋顶组件，48片，510W，组件效率25.52%。

新闻稿写的是"BC要变天"。

但把过去一年半的认证公告排成一排看，有件事更有意思。

这不是一个新东西。这是第四家上市，而且交得最晚。

2025年1月，隆基HIBC经德国ISFH认证，27.81%——四个月后才对外发布。（CPVS那份效率表上，这条记的名字是n-HTBC，不是隆基对外用的HIBC。）

2026年4月26日，天合THBC经ISFH认证，28.00%——行业首次在210R大面积电池上过28%。（天合半年报里这个数写的是28.1%，宣传稿和定期报告，两个口径。）

2026年4月28日，隆基到28.13%。

2026年5月24日，晶澳和金石合作的HBC，首批电池片经TV莱茵测试，28.2%。

2026年9月24日，隆基到28.29%。

2026年10月17日，晶科TAC，官方说法是"峰值电池效率推升至28%"——没写认证机构，也没写认证面积。

四家上市，三家带着认证，一家没有。

而且要注意：晶科这个28%，比隆基四个月前公布的28.29%还低。

名字全不一样：隆基叫HIBC，天合叫THBC，晶澳叫HBC，通威叫HTBC，晶科叫TAC。但把名字剥掉，各家自己公开的说法指向同一套配置——N区用TOPCon那一套（隧穿氧化层加多晶硅，高温），P区用HJT那一套（本征非晶硅加掺杂非晶硅，低温），两种钝化接触拼在同一片硅的背面。

晶科说得最细：P区用本征非晶硅加掺杂非晶硅，N区用超薄二氧化硅加重掺杂多晶硅。天合的官方叫法最直白——"高低温混合式钝化"。

但这不等于"同一个结构"。界面处理、膜层厚度、掺杂分布、图形化方法，公开资料都没披露到那个颗粒度。能确认的只是同一个选择——把P区交给低温的非晶硅。

为什么都做这个选择

因为P区难。

P型（硼）掺杂的多晶硅，钝化和接触很难同时做到最好：硼固溶度低，得足够高温才激活得出载流子；可温度一高，界面复合和扩散又跟着上来。掺杂分布、隧穿层稳定性、接触电阻、热处理历史，每一项都在拉扯。

而本征非晶硅对P区的化学钝化几乎是现成的最优解，界面态密度低，代价是电导率差、经不起高温。

于是就分开了：P区交给低温的非晶硅，N区交给耐高温的多晶硅，谁也不迁就谁。

这不是哪一家公司的灵光一现。这是几家企业在不同时间、不同产线上做的工程判断，落到了同一个方向上。

但代价不小，而且藏得很深。

代价藏在温度里

非晶硅一旦沉上去，后面的热预算就被压得很紧。行业里常见的说法是250℃上下——再往上，氢容易跑掉，钝化就掉。具体红线在哪，取决于氢含量、沉积条件和金属化方案，没有一把通用的尺子。

这一压，牵出几件事。

金属化得重做。传统高温银浆烧结要重新评估，低温银浆、低温焊带成为主要选项，接触电阻和可靠性得重验。

缺陷修复的手段变少了。氢化退火这类传统后路，要么温度不够起不到作用，要么做不了。

激光留下的损伤，后修空间也小了。混合BC还比纯TBC多一道活：在20纳米级非晶硅上做选择性去除，不能打穿底下1到2纳米厚的隧穿氧化层，窗口极窄。

再往下落，是三个绕不开的工程问题：垂直导电——非晶硅那侧的电导率远不如多晶硅，接触电阻怎么压下去；横向漏电——相邻的P区和N区挨得极近，怎么抑制漏电和复合；边缘复合——背接触结构的边缘区域，损失怎么控住。

这三个问题，每一个都直接写进填充因子。隆基2025年11月13日发在《Nature》上的HIBC论文里，27.81%对应的填充因子是87.55%，同样创了纪录——这个数能出来，说明三关是硬啃下来的。

工序数往上走，节拍往下掉，改造成本跟着涨。有测算给出的量级是1.1到1.9亿/GW的改造强度（测算口径）。

为什么第一个放进别墅屋顶

所以就出现了一个挺有意思的选择：晶科把这套技术，第一个放进了别墅屋顶。

全黑、48片小版型、卖给别墅和高端住宅，卖的是外观、温度系数（0.24%）和整块屋顶的颜值。

行业里有种解释是：P区用非晶硅，横向导电不如多晶硅，电流要在背面多走一段，组件越大串联电阻吃得越多，所以小版型更合适。这解释讲得通，但它是推断，不是晶科的说法——版型还受安装、外观、运输影响，要坐实得看它的结构图。

说到温度系数，顺便算一笔账。晶科官网挂着一句"屋顶高温下，多发电超7%"。这个7%里，温度系数只贡献不到1%——0.24%对0.26%，差0.02个百分点，乘上屋顶工况45℃的温差，约0.9%。剩下6个多百分点，全来自效率差。反推回去，它拿来比的基线是480W、24.0%的常规BC，不是市面上最强的那批。

那爱旭为什么没走

五个玩家里，四家走了同一条路。爱旭是唯一没走的那家。

ABC的P区和N区，用的都是隧穿氧化层加掺杂多晶硅，都是高温体系。这里有个特别容易搞反的地方——很多人以为这是"两种材料一块做、一次高温搞定"，恰恰相反：P区的硼扩散温度更高，如果P、N区一次做完，P区这一道高温会把N区已经做好的钝化接触伤掉。

传统BC就是这么干的：P、N区共用隧穿层和多晶硅，统一高温退火。结果是两区对隧穿层厚度和质量的要求不一样，只能各让一步。

爱旭走的是"分置法"，把两区彻底分开做，各拿各的最优。代价是工序多一倍。按爱旭公开的资料，解法是用硼、磷扩散时自然生成的BSG/PSG玻璃层当自掩膜，再配飞秒、皮秒级的超快激光做图形化，把工序数压回到接近一步法的水平。

配套还有两个动作：P、N两区之间做高低差隔离，防止直接接触漏电；硅片用高阻低氧的（爱旭公开口径是电阻率500Ω·cm以上），因为BC的载流子要在背面多跑一段路，体寿命不够就白搭。

这些细节都出自爱旭自己的公开材料，不是我从"分置法"这个名字推出来的。但要注意：公开材料说的是技术路线和设计思路，不等于量产线上的实际参数。

这条路更重、更慢、更贵。

那为什么还要走？答案不在技术里，在八个月前的一份合同里。

那笔钱，16.5亿，当时所有的解读都叫它"史上最贵的买路钱"。八个月后我重读协议原文，发现叫错了——它不是成本。

昨天晶科的TAC，你们厂有人研究了吗？看BC，你们最先算的是效率那一栏，还是别的？评论区聊聊。

原文标题 : 晶科发布TAC，和另外四家的BC有啥差异？

（来源：维科网）

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