技术亮点与“打破壁垒”的关键点如下：
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8寸全色硅基氮化镓外延平台
基于8寸（200mm）硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延技术，完成红/蓝/绿等多波长发光结构的工艺平台化建设，为全色技术路径打通关键工艺节点。
通过晶圆级应力控制与缺陷工程，实现适配量产的外延均匀性和良率，为后续无损去硅与薄膜转移提供稳定基础。
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成熟的无损去硅工艺（Damage-free De-Si Platform）
建立了适用于8寸硅片的晶圆级无损去硅技术，实现对硅基底的可控剥离，在大面积范围内保持氮化镓薄膜的完整性与光电性能。
相比传统小片/局部剥离方案，该工艺支持面向阵列的薄膜级转移，适合与CMOS背板进行晶圆级对位键合或封装集成。
有效解决了长期制约GaN-on-Si与先进CMOS工艺深度耦合的工艺难题，被视为打通器件性能与工艺兼容性的关键壁垒之一。
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与8寸CMOS工艺高度兼容的集成架构
该平台在工艺窗口和材料体系上充分对标主流8寸CMOS工艺线，包括温度预算、金属体系、平坦度及应力控制等关键指标，可与现有CMOS线进行协同制造或后端集成。
支持多种集成方式：1.GaN薄膜/发光阵列→晶圆级键合至CMOS 驱动晶圆；2.兼容后端工艺的局部互连与封装方案。
通过类似PDK（ProcessDesignKit）的工艺规范和接口定义，为合作伙伴提供版图设计、器件结构、工艺参数的标准化接口，加速从设计到流片的全流程。
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微米级乃至纳米级发光单元与高密度阵列
在此平台上，公司已实现微米级甚至亚微米级发光单元阵列结构，可支持超高PPI的Micro-LED微显示需求。
平台在像素尺寸、像素间距、阵列拓扑等方面提供可配置能力，既可满足单色高亮度应用，也可为全色/混光光学架构预留空间。
结合8寸晶圆制造带来的规模与成本优势，为大规模近眼显示应用提供可扩展的器件基础。
面向近眼显示的系统级适配
工艺平台在设计之初即对标AR/VR/MR等近眼显示场景，在亮度、均匀性、对比度、功耗等关键指标上预设优化空间。
后续可与光学模组厂、整机厂联合优化出光结构、色彩方案和系统级封装，实现面向终端应用的系统级解决方案。
