据公司规划，这座大型制造基地位于纽约州奥农达加县克莱镇，占地面积广阔，将包含最多四座晶圆厂，建成后将专注于生产先进的DRAM存储芯片，计划到2040年代，该园区将承担美光公司40%的美国DRAM产能。此外，该项目预计总投资达1000亿美元（约合人民6981亿元），是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，也是美国境内规模最大的半导体制造设施。
据悉四座工厂的建设将分阶段进行：第一座工厂计划于2026年底开始主体建设，预计2030年投入运营，后续工厂将陆续开建，整个园区预计在2045年完全建成。
美光科技董事长、总裁兼首席执行官桑贾伊·梅赫罗特拉表示，该项目将巩固美光作为“美国唯一存储器制造商”的地位，并满足人工智能系统对高性能存储芯片日益增长的需求。
不过虽然从投资规模来看，美光这座制造基地规模空前，但短期内对当前火热的DRAM市场供需关系影响甚微。
按行业一般流程，其随后需要经历通常为9到24个月的设备安装与调试期，因此该工厂最早也要到2029年第一季度才能开始运营，预计到2030年左右才会有实质性的DRAM产品产出，而从产出到产能爬坡再到满产，其一座工厂满产周期之长将长达数年，后续几个工厂的建设将依次更晚启动。
这意味着，在未来数年内，全球DRAM市场的供应仍将依赖于现有晶圆厂的产能分配与制程转换。
不过长期来看，新建产能完全爬坡并达到规模量产时，将为全球，特别是北美地区，带来可观的先进DRAM芯片供应。
（来源：维科网）
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