SiC功率器件
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碳化硅竞争升级，中国企业施压国际大厂
?作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅（SiC）与硅（Si）相比，拥有更加优异的物理和化学特性，使得SiC器件能降低能耗20%以上，减少体积和重量30%~50%，可满足中低压、高压、超高压功率器件制备要求
?作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅（SiC）与硅（Si）相比，拥有更加优异的物理和化学特性，使得SiC器件能降低能耗20%以上，减少体积和重量30%~50%，可满足中低压、高压、超高压功率器件制备要求
