9月28日晚间,长鑫科技发了一则重要公告,大体内容是在当天董事会上通过一项议案,打算把180亿元超募资金,投到两个新项目上。
公司拟使用130 亿元超募资金投建技术研发项目;同时以增资 + 借款的形式,向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司拨付50亿元超募资金,用于实施存储器晶圆后道测试基地二期项目,两大项目合计总投资349亿元,本次合计动用超募资金180亿元。

长鑫科技今年7月27日登陆科创板,这成了2026年迄今A股最大的一单IPO。它最终募到了666.07亿元,扣除掉各项费用之后净额是663.10亿元,超募的部分一共有368.10亿元。这笔钱是7月22日才到账的。
这一次拿出来的180亿,正好占了超募规模的近一半,用掉之后账面上还留着约188亿。
具体来看,这180亿分成了两部分用途。一部分是130亿,投进了一个被叫做技术研发项目,由长鑫科技自己来干,落点在合肥新桥科技创新示范区那座12英寸存储器晶圆制造基地里头,建设周期30个月。
该项目总投资241亿,里头设备购置费就占了223.98亿,比例到了92.94%,这130亿超募几乎是全部拿去买了设备,而且公告指出,这个研发类的项目,不单独去算投资回报,效益得靠技术迭代去带动主营产品来体现。
另一部分50亿资金,以增资再加上借款的形式,拨给了全资子公司长鑫存储产品(合肥),拿去建存储器晶圆后道测试基地二期。这个项目总投资108亿,周期37个月,地点在合肥肥西县,计划盖一座测试工厂,专门给DRAM芯片做测试以及模组组装。
这个项目的设备购置以及安装费是81.80亿,占75.74%,经测算,内部收益率和总投资收益率都处在合理区间里头。
两路加到一起,总投资349亿,这一次动用的超募正好就是180亿。
它们俩都绕开了新建晶圆制造产能这条路,把钱投进了研发和后道测试这两个环节。对长鑫这样一家做DRAM的厂子来说,前道制造一直都是它的强项,可芯片一旦做出来,还得经过测试、封装、模组组装这几道关,才能变成能拿出去卖的产品。
测试这个环节设备专用、产能弹性也小,随着长鑫产能和产品种类一点点往上走,外头封测厂的产能未必就真能跟得上。
因此,把后道测试这一环抓回自己手里,产能调度就显得更灵活,测试成本也能压下来,供应链上也少了一个受制于人的点。这一手,等于把IDM模式从“前道强”一路延伸到了前后道都自己握着。
长鑫是2016年成立的,干的是DRAM设计、制造、销售一体化的生意,如今第五代工艺平台已经量产,产品覆盖DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6。截至今年6月底,它手里的境内专利有4484项、境外3400项,研发人员7491人,占员工总数的比例超过了三分之一。
根据财报,上半年公司营收大约是1503.10亿元,同比涨了873.64%,归母净利776.05亿元,把去年的亏损给扭了过来。账面都这么厚了,它还是把130亿砸进研发,而且明确不单独去测算回报,看重的就是制程以及产品的持续迭代。
风险其实也明摆在公告里。研发项目本来就不承诺回报;后道测试基地要是没能按预期满产,设备折旧、人力、厂房运维这些固定开销,会阶段性地压着利润。
上市还不到两个月,长鑫就把近一半的超募动用了。剩下的那188亿,长鑫会怎么花呢?
(来源:维科网)



