电子器件
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石墨烯,半导体的“野心家”
前不久,《自然》杂志网站在线发表了一个题为《碳化硅上生长的超高迁移率半导体外延石墨烯》的研究成果。这是天津大学天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心马雷教授团队在半导体石墨烯领域取得显著进展,成功制备出高迁移率半导体外延石墨烯,表现出了10倍于硅的性能
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中国科学院力学研究所提出提高可拉伸电子器件弹性延展性的新策略
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