对于单颗输出光功率超过500mW的激光器芯片已经是大功率激光器芯片了。转换效率根据材料的不同而不同，像红光的目前大功率也能达到50%，剩余的电能就转换成热能。 对于小功率的LD，比如光通信用的mw级别的，一般也很少考虑腔面灾变

脊型GaAs基LD激光芯片工艺过程： 这个流程算是LD最基础的流程，第一步做Mesa台阶，第二步做SiO2阻挡层，第三步做P电极、第四步做减薄、抛光；第五步做N电极。然后就是切片、测试、封装