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成立仅4月！福建半导体黑马，获千万级天使轮融资！

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维科网电子11月7日讯，据企查查显示，镓创未来半导体科技（晋江）有限公司近日获得千万级天使轮融资，投资方包括聚卓资本-晋江人才科创基金、芯丰泽半导体和个人投资者。 ? 成立4个月，拥有10年技术底蕴

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成立4个月，拥有10年技术底蕴

镓创未来，成立于2025年7月，虽公司年轻，但是创始团队在半导体行业里积累了大量的经验。

据维科网电子获悉，其公司创始人团队皆为微电子学与固体电子学博士，从2015年就投身于宽禁带半导体碳化硅、氧化镓材料及器件的研究。

在材料的外延生长、 掺杂和器件制作等一连串产业环节上积累了差不多十年的经验。

团队选择从氧化镓外延片这个关键环节切入市场，现在已经有异质外延片小批量生产的能力，目前公司进展很快，已经跟二十余家科研机构建立了合作关系，而且和多家半导体客户签了采购合同。

此次镓创未来这次天使轮融资会用来提高外延片产能，加快氧化镓材料的产业化进程持。

创新路线，成本直降10倍

第四代超宽禁带半导体材料——氧化镓，因为有着很好的物理特性而被看作是将来高功率器件的理想材料，不过，成本过高和技术瓶颈一直是它产业化过程中的难题。

相比于第三代半导体材料碳化硅和氮化镓，氧化镓拥有非常宽的禁带宽度——高达4.9eV，远远超过了碳化硅的3.3eV以及氮化镓的3.4eV，其临界击穿电场可以达到8MV/cm，比碳化硅要高出三倍以上。

这些特性，也使得氧化镓在功率器件的应用上有着极低的导通损耗，功率损耗只有碳化硅的1/7、硅的1/49。

但是氧化镓衬底的成本非常高，目前国产的2英寸氧化镓衬底的价格已经达到了2万元左右，比同尺寸碳化硅的价格高出40余倍。

为摆脱桎梏，镓创未来选择了两条自研突破之路：其一选择异质外延技术路线，在碳化硅、蓝宝石、硅等成熟的商业化衬底上生长氧化镓。

其二是自主研发HVPE设备，稳定产出大尺寸、厚膜、高迁移率氧化镓外延片。

注：HVPE（氢化物气相外延）是一种用于生长半导体薄膜的技术，其过程是在一个反应室内引入金属卤化物、氢化物等气体作为前驱体，在衬底上进行化学反应以形成高质量的半导体晶体薄膜。

通过这种技术路线，镓创未来实现了氧化镓外延片成本下降10倍以上，进而为材料大规模应用开路。

多元应用场景覆盖

镓创未来的核心产品就是氧化镓外延片系列，包括氧化镓同质外延片、异质外延片产品线以及蓝宝石基、碳化硅基和硅基氧化镓外延片。

这些产品可以满足不同的应用场景。

氧化镓器件的应用场景主要包含两个方面，在电力电子上，可应用于新能源汽车快充桩、车载充电器、主逆变器、光伏逆变器以及650V-3300V中高压工业电源等。

在光电探测方面，基于日盲紫外响应原理的应用很普遍，在电网监测、消防预警、海上搜救等方面都有涉及。

日盲紫外指的是波长在200-280nm的紫外线，该波段紫外线经过臭氧层吸收后到达地球表面几乎没有残留，在复杂背景环境中探测器具有极低噪声。

基于市场需求，镓创未来确定市场切入策略：功率器件端主攻新能源汽车800V以上高压平台车载充电器、快充桩及AI数据中心工业电源等高价值场景。

光电器件端主要集中在日盲紫外探测、深紫外光源以及光通信器件等应用上。

氧化镓，或颠覆功率半导体格局

对能源转换效率的要求越来越高，氧化镓半导体材料迎来了前所未有的机遇。

据富士经济发布《Wide Gap 功率半导体元件》全球市场预测，到2030年氧化镓功率元件市场规模将占碳化硅的36%，有可能会超过氮化镓功率元件。

镓创未来采取分阶段推进策略： 先以高校、科研院所为主，开展材料研究和器件开发。之后加深与器件设计公司、IDM厂商的合作，推动产品在工业领域落地。最后是技术和市场的成熟，规模化进入新能源汽车、工业电源、光伏等主流市场。

公司一期项目于2025年7月启动，在晋江集成电路产业园建成超净间，用于批量生产氧化镓同质和异质外延产品。

结语

镓创未来创始人表示：“氧化镓器件往下游走，要将其应用推广到更大的应用场景，比如新能源车充电桩和数据中心电源设备，需要一个更长期的性能和可靠性方面的验证。”

不过随着氧化镓材料技术持续突破，第四代半导体开始展现出巨大的市场潜力，镓创未来采用异质外延技术路线把氧化镓外延片成本降了10倍以，给氧化镓产业化扫清了主要障碍。

在半导体产业全球化回流与地方政策加持之下，氧化镓这种第四代半导体材料，正在成为中国于宽禁带半导体领域达成自主创新发展的关键突破口。

而镓创未来，在承担“先锋者”角色。

（来源：维科网）
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