奋起直追!国内IGBT企业名单一览

在新能源汽车的成千上万样零部件中,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是最为重要的一部分。这是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,与MOSFET(绝缘栅型场效应管)结构功能相似,可控制的电压范围更高。作

在新能源汽车的成千上万样零部件中,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是最为重要的一部分。这是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,与MOSFET(绝缘栅型场效应管)结构功能相似,可控制的电压范围更高。

作为一种分立器件,IGBT可以被认为是一个MOSFET和一个BJT(双极型极管)混合形成的器件,但相比于MOSFET制造难度更高、结构更复杂,可承受的电压也更大。一般MOSFET器件或模组的可承受电压范围为20-800V,而IGBT可承受1000V以上的高电压,因而是电力电子领域较为理想的开关器件。它可以通过脉宽调制,可以把输入的直流电变成人们所需要频率的交流电,或者反过来,主要用于变频逆变和其他逆变电路,因此它又被称作电力电子装置的“CPU”。

本文福利:阅读到本文的朋友可添加下方小助手微信获取深度报告《借新能源大发展的东风,迎接IGBT大增长的春天

1675670269578006065.png

不追求摩尔定律,IGBT技术稳定前行

由于IGBT产品迭代速率不追求摩尔定律,使用周期较长。所以尽管很多老一代产品损耗较大,但其芯片面积大,稳定性较好,因此部分领域仍会选择使用旧代产品。

目前看来,IGBT的发展大致可分为三大主要技术阶段:

第一阶段:第一、第二代IGBT为代表的平面栅型IGBT,其中第一代由于工艺复杂且成本高,已基本被淘汰。第二代部分类型产品目前仍有销售;

第二阶段:以第三代、第四代IGBT 为代表的沟槽栅型IGBT。该类型产品通过创新的沟槽设计,大大减小了IGBT的体积和使用功耗,因此被广泛使用。第五代、第六代的IGBT,属于对沟槽栅型的改进,结构并未有很大的变动;

第三阶段:2018年以后出现的第七代微槽型IGBT,该类型产品更大程度地减小了器件的体积和功耗,目前英飞凌等厂商技术已达量产水平。

IGBT能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,实现精准调控的目的,被广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。数据显示,从中国市场来看新能源汽车相关领域是IGBT最大应用领域,市场占比达31%,其次为消费电子工业控制及新能源发电等。

新老交替,国内IGBT企业奋起直追

由于IGBT技术的门槛较高,早期更是由海外老牌厂商率先占领市场,比如英飞凌、富士电机等可以说是形成了垄断之势。具体来看,位列第一的英飞凌处在绝对领先地位,模组产品市占率35.6%、分立器件产品市占率32.5%。

随着近些年国内新能源汽车产业的发展,相关IGBT企业也因此受益,不仅涌入了众多新参与者,其技术水平的拔高也使其在国际上站稳了脚跟,作用一席之地。此外,有很多终端厂商也开始沿着供应链向上游拓展,最典型的就是比亚迪,自2005年进入IGBT产业,目前已成为国内IGBT龙头之一。

免责声明:本文内容来源于第三方或整理自互联网,本站仅提供展示,不拥有所有权,不代表本站观点立场,也不构成任何其他建议,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容,不承担相关法律责任。如发现本站文章、图片等内容有涉及版权/违法违规或其他不适合的内容, 请及时联系我们进行处理。

相关推荐

  • 江波龙FORESEE XP2300 PCIe SSD:引领AI PC存储革新的旗舰级解决方案

    随着AI计算平台迎来了新一轮升级浪潮,业界巨头们纷纷推出了各自的创新产品:NVIDIA的Rubin GPU、Intel的至强6处理器、以及AMD的锐龙和EPYC系列处理器,均强调了AI加速的核心地位。这些技术进步不仅推动了AI处理能力的巨大飞跃,也为整个行业树立了新的性能标杆

    2024-08-02
  • 高速器件采用表面发射器芯片技术,优异的VF温度系数达

    美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海

    2024-07-31
  • 以光为刀的光刻技术

    以光为刀的光刻技术 引文 光的出现以及每一次发展都是人类社会的一大进步:地球上出现的

    2024-07-14
  • 红光LD芯片的抗COD(灾变性光学镜面损伤)能力

    对于单颗输出光功率超过500mW的激光器芯片已经是大功率激光器芯片了。转换效率根据材料的不同而不同,像红光的目前大功率也能达到50%,剩余的电能就转换成热能。 对于小功率的LD,比如光通信用的mw级别的,一般也很少考虑腔面灾变

    2024-06-08
  • MY9706氮氧化物传感器—实现尾气排放的精准控制

    氮氧化物传感器由传感探头和电控采集组成,是一种能够测量柴油尾气中氮氧化物(NO和NO2等混合物)浓度及氮气浓度的装置;它不仅广泛应用于柴油机发动机的SCR系统中,实现对NOX的闭环控制,还可以应用于汽油和柴油发动机的车载诊断中

    2024-05-31
  • vcsel的参数和测试

    垂直腔面发射激光器(VCSEL)是一种激光发射方向垂直于P-N结平面,而谐振腔面平行于P-N结平面的半导体激光器,它属于面发射激光器的一种。而EEL边射型激光器的光则是沿着水平方向,由芯片的边缘射出。与EEL相比

    2024-05-30
  • 半导体激光器的远场特性

    人们通常将半导体激光器输出的光场分布分别用近场与远场特性来描述。近场分布系指光强在解理面上的分布,它往往和激光器的侧向模式联系在一起。远场特性是指距输出腔面一定距离(d>λ)的光束在空间的分布,它常与光東发散角的大小相联系

    2024-05-26
  • 手机触控面板中应用的电容式触摸芯片

    手机触控屏(Touch panel)又称为触控面板,是个可接收触头等输入讯号的感应式液晶显示装置,当接触了屏幕上的图形按钮时,屏幕上的触觉反馈系统可根据预先编程的程式驱动各种连结装置,可用以取代机械式的按钮面板,并借由液晶显示画面制造出生动的影音效果

    2024-05-18
  • 晶格常数、应变和临界厚度

    外延是激光芯片、LED芯片以及其他化合物芯片的关键,没有好的外延,后续的努力都很被动。而如何长出高质量的外延,生产常用的MOCVD设备,这是一种化合物在衬底表面成膜的工艺设备,其中牵涉有机化学、络合反应等等,其中选用和外延晶格匹配的衬底很是关键

    2024-05-16
  • 40V/1A 步进电机驱动芯片SS6810R兼容BD68610

    SS6810R是一款功能丰富的PWM电流驱动的双极低功耗电机驱动集成芯片,其工作电压范围:10V~40V;有两路H桥驱动,输出40V/1A;具有较大的输出能力和多种保护功能。它适用于各种电机驱动应用,能够提供稳定、高效的控制性能

    2024-05-13