DDR3最后的涨声？_科技前沿_数智科技-数据智慧科技前沿

?不久前，有媒体报道三星和 SK 海力士最终将永久关闭各自的 DDR3 生产线，两家韩国存储制造商可能在今年下半年停止向市场供应 DDR3 内存。随后市场传出DDR3产品涨价的消息。两家公司做出这一改变的理由并不难理解，AI火热的当下，相关内存供不应求

?不久前，有媒体报道三星和 SK 海力士最终将永久关闭各自的 DDR3 生产线，两家韩国存储制造商可能在今年下半年停止向市场供应 DDR3 内存。随后市场传出DDR3产品涨价的消息。两家公司做出这一改变的理由并不难理解，AI火热的当下，相关内存供不应求。为了利润率，抢占未来十年的市场，存储巨头们发力HBM和DDR5等产品也不难理解。

SK海力士的HBM供应在2024年和2025年大部分时间都已售罄，这导致所有HBM（包括HBM2E、HBM3和HBM3E）内存类型的价格明年预计上涨5%至10%。有媒体预测，到2025年，由于强烈的HBM需求，HBM市场份额将增加一倍以上，从2023年的2%增长到2024年的5%，再到2025年的10%。值得一提的是，DDR5内存也受到HBM需求的影响，据报道，其价格将上涨20%，因为前三大存储制造商将生产重点转向HBM。至于服务器和个人电脑市场，早就不再使用DDR3了。

DDR3 真的垂暮了吗？

DDR3于2007 年首次推出，已经问世17年。相对于 DDR2，DDR3 在逻辑 Bank 数量上，起步为 8 个且为未来 16 个做准备（DDR2 只有 4Bank 和 8Bank 设计）。在封装方面，引脚增加，有特定封装规格且必须环保（8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装），与 DDR2 的多种封装规格不同。在突发长度上，预取为 8bit 导致突发传输周期固定为 8，还增加新模式且禁止突发中断操作，比 DDR2 更灵活。在寻址时序上，CL 周期提升且范围不同，附加延迟设计变化，还新增写入延迟参数，DDR2 的 CL 范围与之不同。在新增功能上，具备重置功能可停止操作节约电力，以及新增 ZQ 校准功能自动校验相关电阻值，这是 DDR2 所没有的。

对于内存产品来说，迭代就像人类正常的新陈代谢。设计的进步、工艺的突破让产品的能耗越来越低，传输速度越来越快、存储容量也越来越大。随着DDR5的登场，DDR3是否真的要和时代说再见了？

网络通信、电视、监控、机顶盒、工业、智慧家庭等领域，仍是广泛应用DDR3的场景。据中泰电子数据，2022/2021年，DDR3占DRAM比例为8%/8%，达75/74亿美金。

DDR3用户接口在设计与性能上展现出诸多显著优势。相较前代产品，DDR3内存模组在传输速率方面实现了大幅提升，从而显著加快了数据的读取和写入速度，有效满足了多任务处理和大规模数据运算的需求。同时，其低功耗特性显著降低了计算机系统的能耗，进一步提升了电池续航能力，为移动设备用户带来了极大的便利。DDR3内存模块表现出高度的兼容性，可以适配台式机、笔记本电脑，服务器、工作站等设备上，确保系统运行的稳定性和可靠性。这一广泛的兼容性为用户提供了更自由的选择空间，无需担心内存模块的兼容性问题，从而大大减轻了用户的困扰。

DDR3报价从2023年9月起陆续走扬，DDR3 4Gb至11月累计涨幅近一成，DDR3 2Gb累计涨幅则有14%。

2023年年末之际，DDR3相关业者普遍持积极态度，对市况发展充满信心。钰创公司认为，随着库存的逐步消化，行业已度过循环低谷，逐步迈向复苏阶段。晶豪科公司亦在推进自车规用的利基型存储产品，以满足市场的多元化需求。供应链透露，随着产业经过逾一年去库存，近期终端消费性电子订单大增，带动DDR3芯片需求爆发，因应客户需求，华邦、钰创向载板协力厂备货量激增，晶豪科投片量也有上升趋势，市况回温以及价格反转之际，业者都在备货迎接盛况。

不难发现有相当一部分半导体公司仍在DDR3市场上发力，主要关注的市场仍是物联网领域。

华邦的DDR3定价在第二季度上涨了约 10%，主要是 2Gb 和 4GbDDR3报价。因此，华邦正全力以赴推进DDR3规格DRAM市场的发展，位于高雄的工厂今年的产能已全面释放，旨在抓住DDR3价格上涨这一有利的市场机遇。据预测，华邦今年DDR3产品所带来的DRAM总收入贡献有望达到五成，从而充分把握转接订单所带来的丰富商业机会。随着制程技术升级至DDR3阶段，该公司已加大对DDR3产能建设的投入力度。高雄工厂引进了先进的20纳米设备，产能正逐步释放，未来有望成为华邦新制程DRAM产品的主要制造基地。

中国大陆市场上，兆易创新也拥有多款DDR3产品。根据公司官网，兆易创新的利基型DDR3L兼容1.5V/1.35V电压供电，读写速率为1866Mbps，最高可达2133Mbps，满足主流应用需求。兆易创新拥有多款利基型DDR3L产品，能提供1Gb/2Gb/4Gb容量， x8/x16数据接口，适应0 ~ 95℃ / -40 ~ 95℃ / -40 ~ 105℃ 不同温度范围的应用场景。

5月17日，钰创公司董事长卢超群指出，当前阶段，市场正处于复苏进程之中，尤其在本年度上半年。钰创公司的其DDR3系列产品已经进入Wi-Fi 6及Wi-Fi 7市场。业界普遍预期，2024年下半年市场活力将显著增强，预计到2025年，市场将保持持续增长的强劲势头，整体DRAM价格有望恢复至疫情前水平。

DDR4的成熟期来了

正如所有产品一样，DDR3终究会面临市场的淘汰。

现实是，虽然DDR3价格开始上涨，但其市场的玩家依旧在做“亏本生意”。南亚科技、华邦电子、精英半导体存储器科技（ESMT）等中国台湾存储器公司在 2024 年第一季度仍处于亏损状态。不过2024 年Q1的亏损有所收窄，ESMT的亏损（179 万美元）在环比和同比上都有所收窄。

内存产品每两到三年就会升级一次。由于全球重要内存供应商主要集中在 DDR5 或 HBM 内存上，利基Dram制造商将在今年从 DDR4 获得新的发展前景。DDR4 目前正接近上一个DDR3阶段的过渡，预计将促进价格和销量的增长。据相关厂商表示，预计DDR4的出货量将大幅攀升，芯片平均售价也将大幅攀升。

这意味着DDR4将会接替DDR3现阶段所在的利基市场。随着三星、SK海力士停止生产DDR3，DDR3向 DDR4 的转变已经开始，据报道中国台湾内存制造商将从 2024 年开始优先考虑 DDR4 以提高收入。出货量和平均销售价格 (ASP) 的结合将有助于他们今年的增长。

一些中国台湾的内存制造商正在考虑扩大产品范围并开发 2Gb DDR4 解决方案，以满足客户对更低密度和更低成本的需求。中国大陆厂商兆易创新也计划推出 8Gb DDR4 和 LPDDR4 产品。

内存市场下半场

后端厂商对自2024年第二季度起始的内存行业订单持有乐观预期。为应对内存价格上扬态势，内存芯片制造商计划终止减产措施，并逐步提升产能利用率，以增强盈利能力。关于上游供应增加对整体内存市场的影响，目前尚待进一步观察。然而，据业内消息人士指出，内存后端企业普遍预计订单量将有所增长。

市场显示，在3D NAND领域的订单增长预期将尤为显著，而DRAM领域的订单增长势头亦将从第二季度开始显现。据报道，SK海力士和美光科技已着手提升其产能利用率，特别是针对HBM和DDR5等高端DRAM产品（显然是受AI带动的服务器领域增长）。

同时，消息人士称，第一季度存储器行业整体的产能利用率已回升至80%以上水平，预计第二季度将进一步升至90%以上。有媒体表示，主要NAND供应商Kioxia亦将结束减产措施，其产能利用率亦将回升至90%以上。

供应链制造商的积极备货正推动着内存市场的持续发展，进而促进了内存后端企业的销售业绩。多家中国台湾后端公司的业绩在2月就出现了增长。茂茂科技2月份综合销售额数据显示，其销售额达到新台币17.8亿元（约合5,652万美元），同比增长23.64%，环比增长4%。ChipMOS亦表示，其在内存领域的销售额表现强劲，超越了显示驱动IC（DDI）领域的销售表现。尽管客户目前仍主要下达短期订单，但预计第一季度的销售额将实现环比增长。力成科技发布的2月份合并销售额数据显示，其销售额为新台币58.8亿元，环比下降3.86%，但同比增长12.6%。在2024年1至2月期间，其合并销售额累计达到新台币119.9亿元，同比增长17.3%。

然而根据闪存市场的数据，最新一周渠道市场内存条最新报价全面下跌，二季度过半，消费类存储需求持续遇冷。值得注意的是，HBM产品产量的持续增长将会对DRAM产品供应产生挤兑。HBM、DDR与LPDDR5X在制程上存在冲突，当生产相同bit量的产品时，HBM3E所需的晶圆量大约是DDR5的两至三倍。由于HBM的生产过程还涉及TSV封装技术，这使得HBM的生产周期较DDR5增加1.5至2个月。

随着更多产能倾斜至服务器市场，消费类终端可能面临存储资源结构性紧缺。在巨大的成本压力之下，终端厂商可能会通过降低存储配置来削减成本。2024的下半场，DDR3和DDR4这些老将或许仍有一战的机会。

原文标题 : DDR3最后的涨声？

（来源：维科网）

免责声明：本文内容来源于第三方或整理自互联网，本站仅提供展示，不拥有所有权，不代表本站观点立场，也不构成任何其他建议，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容,不承担相关法律责任。如发现本站文章、图片等内容有涉及版权/违法违规或其他不适合的内容，请及时联系我们进行处理。

DDR3最后的涨声？

相关推荐

友情链接